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晶体管参数测试仪 型号：JFY3022A
JFY3022A晶体管参数测试仪详细介绍
※概述:
JFY3022A晶体管参数测试仪，是一种专门用于各种电子元件参数测试的新型多功能测试装置。该机采用大规模MCU设计,中文界面操作,大容量内存,可存2000种元件参数设置数据.仪器外型美观、性能稳定、测量准确、操作简单、使用安全方便,适用电子产品生产厂家或电子元件供应商来料检测。
※ 测量元件类型:
N型三极管,P型三极管,N型MOS场效应管,P型MOS场效应管N型结型场效应管,正负三端稳压IC,三端肖特基,基准器431,整流二极管,整流桥堆，可控硅，稳压二极管.
※ 测量参数:
■ 整流二极管,三端肖特基，整流桥堆:
叁数項 | 测试参数 | 测试条件设置 |
正向着压降(VF) | 0-2.000V | 0-2.000A |
耐压试验(VRR) | 0-1500V | 0-2.000MA |
■N型晶体管:
参数设置項 | 测试参数 | 测试条件设置 |
插入同向压降(VBE) | 0-2.000V | 0-2.000A |
耐压性(BVCEO) | 0-1500V | 0-2.000MA |
拖动质数和合数(HEF) | 0-3000 | VCE:0-20V IC:0-2.000A |
饱和压降(Vsat) | 0-2.000V | IB:0-2.00A IC:0-2.00A |
■P型晶体管:
叁数項 | 测试参数 | 测试条件设置 |
輸入正方向压降(VBE) | 0-2.000V | 0-2.000A |
耐压试验(BVCEO) | 0-1500V | 0-2.000MA |
增加陪数(HEF) | 0-3000 | VCE:5.0V IB:100uA |
饱和点压降(Vsat) | 0-2.000V | IB:0-2.00A IC:0-2.00A |
N,P型MOS场作用管:
运作項 | 测试参数 | 测试条件设置 |
通电交流电压(VGS(th)) | 0-20.00V | 0-2.000mA |
抗压(BVCEO) | 0-1500V | 0-2.000mA |
导通电阻(Rson) | 0.1Mr-200R | Vgs:0-20V Id:0-2.000A |
单双向可控硅:
规格項 | 测试参数 | 测试条件设置 |
启用电流量(IGT) | 0-40.MA | VD=0-20V,ID=0-2.000A |
开启电压值(VGT) | 0-2.000V | VD=0-20V,ID=0-2.000A |
耐冲击(VDRM VRRM) | 0-1500V | 0-2.000mA |
通态压降(VTM) | 0-2.000V | IT:0-2.00A |
三端稳压IC:
指标項 | 测试参数 | 测试条件设置 |
工作输出电压电流(Vo) | 0-20.00V | Vin:0-20V Io:0-2.00A |
系数IC 431:
基本参数項 | 测试参数 | 测试条件设置 |
打出电阻值(Vo) | 0-20.00V | IZ:0-200mA |
■ 稳压二级管:
指标項 | 测试参数 | 测试条件设置 |
稳压值(VZ) | 0-20V | 0-100MA |
稳压值(VZ) | 20-200V | 0-2.000MA |
电子邮箱：
公司地址：北京市通州区兴贸三街18号院19号楼1单元803
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