晶体管参数测试仪概述

更新时间：2022-06-21 点击次数：964

晶体管参数测试仪型号：JFY3022A

JFY3022A晶体管参数测试仪详细介绍
※概述:
JFY3022A晶体管参数测试仪，是一种专门用于各种电子元件参数测试的新型多功能测试装置。该机采用大规模MCU设计,中文界面操作,大容量内存,可存2000种元件参数设置数据.仪器外型美观、性能稳定、测量准确、操作简单、使用安全方便,适用电子产品生产厂家或电子元件供应商来料检测。
※ 测量元件类型:
N型三极管,P型三极管,N型MOS场效应管,P型MOS场效应管N型结型场效应管,正负三端稳压IC,三端肖特基,基准器431,整流二极管,整流桥堆，可控硅，稳压二极管.
※ 测量参数:
■ 整流二极管,三端肖特基，整流桥堆:

技术参数項	测试参数	测试条件设置
顺向压降(VF)	0-2.000V	0-2.000A
耐冲击(VRR)	0-1500V	0-2.000MA

■N型三级管:

指标項	测试参数	测试条件设置
录入正在向压降(VBE)	0-2.000V	0-2.000A
耐压试验(BVCEO)	0-1500V	0-2.000MA
扩大质数和合数(HEF)	0-3000	VCE:0-20V IC:0-2.000A
饱和压降(Vsat)	0-2.000V	IB:0-2.00A IC:0-2.00A

■P型晶体管:

性能指标項	测试参数	测试条件设置
导入正方向压降(VBE)	0-2.000V	0-2.000A
耐压性(BVCEO)	0-1500V	0-2.000MA
放小7的倍数(HEF)	0-3000	VCE:5.0V IB:100uA
饱和状态压降(Vsat)	0-2.000V	IB:0-2.00A IC:0-2.00A

N,P型MOS场现象管:

技术指标項	测试参数	测试条件设置
初始化端电压(VGS(th))	0-20.00V	0-2.000mA
耐冲击(BVCEO)	0-1500V	0-2.000mA
导通阻值(Rson)	0.1Mr-200R	Vgs:0-20V Id:0-2.000A

单双向可控硅:

性能参数項	测试参数	测试条件设置
激发直流电(IGT)	0-40.MA	VD=0-20V,ID=0-2.000A
晕人工作电压(VGT)	0-2.000V	VD=0-20V,ID=0-2.000A
耐压性(VDRM VRRM)	0-1500V	0-2.000mA
通态压降(VTM)	0-2.000V	IT:0-2.00A

三端稳压IC:

技术指标項	测试参数	测试条件设置
输出的直流电压(Vo)	0-20.00V	Vin:0-20V Io:0-2.00A

标准IC 431:

产品参数項	测试参数	测试条件设置
输入输出电流值(Vo)	0-20.00V	IZ:0-200mA

■ 稳压整流二极管:

性能参数項	测试参数	测试条件设置
稳压值(VZ)	0-20V	0-100MA
稳压值(VZ)	20-200V	0-2.000MA

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