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JFY3022A晶体管参数测试仪详细介绍
※概述:
JFY3022A晶体管参数测试仪，是一种**门用于各种电子元件参数测试的新型多功能测试装置。该机采用大规模MCU设计,中文界面操作,大容量内存,可存2000种元件参数设置数据.仪器外型美观、性能稳定、测量准确、操作简单、使用安全方便,适用电子产品生产厂家或电子元件供应商来料检测。
※ 测量元件类型:
N型三*管,P型三*管,N型MOS场效应管,P型MOS场效应管N型结型场效应管,正负三端稳压IC,三端肖特基,基准器431,整流二*管,整流桥堆，可控硅，稳压二*管.
※ 测量参数:
■ 整流二*管,三端肖特基，整流桥堆:
主要参数項 | 测验参数指标 | 试验经济条件设定 |
朝压降(VF) | 0-2.000V | 0-2.000A |
耐冲击(VRR) | 0-1500V | 0-2.000MA |
■N型三*管:
技术指标項 | 检查运作 | 测式條件制定 |
进入同向压降(VBE) | 0-2.000V | 0-2.000A |
抗压(BVCEO) | 0-1500V | 0-2.000MA |
放小数倍(HEF) | 0-3000 | VCE:0-20V IC:0-2.000A |
饱和状态压降(Vsat) | 0-2.000V | IB:0-2.00A IC:0-2.00A |
■P型三*管:
因素項 | 测试方法技术指标 | 测评條件放置 |
插入双向压降(VBE) | 0-2.000V | 0-2.000A |
耐冲击(BVCEO) | 0-1500V | 0-2.000MA |
缩放因数(HEF) | 0-3000 | VCE:5.0V IB:100uA |
过饱和压降(Vsat) | 0-2.000V | IB:0-2.00A IC:0-2.00A |
N,P型MOS场相互作用管:
参数值項 | 自测性能参数 | 检验状态使用 |
开机启动直流电压(VGS(th)) | 0-20.00V | 0-2.000mA |
耐压性(BVCEO) | 0-1500V | 0-2.000mA |
导通电阻(Rson) | 0.1Mr-200R | Vgs:0-20V Id:0-2.000A |
单双项可以控制硅:
指标項 | 测试软件参数设置 | 测量要求设计 |
勾起功率(IGT) | 0-40.MA | VD=0-20V,ID=0-2.000A |
启用电压降(VGT) | 0-2.000V | VD=0-20V,ID=0-2.000A |
耐压试验(VDRM VRRM) | 0-1500V | 0-2.000mA |
通态压降(VTM) | 0-2.000V | IT:0-2.00A |
三端稳压IC:
指标項 | 测试英文技术参数 | 软件测试能力设定 |
工作输出额定电压(Vo) | 0-20.00V | Vin:0-20V Io:0-2.00A |
系数IC 431:
性能指标項 | 测试英文数据 | 试验前提快速设置 |
所在电流(Vo) | 0-20.00V | IZ:0-200mA |
■ 稳压二*管:
技术指标項 | 考试技术指标 | 测试方法條件制定 |
稳压值(VZ) | 0-20V | 0-100MA |
稳压值(VZ) | 20-200V | 0-2.000MA |
电子邮箱：
公司地址：北京市通州区兴贸三街18号院19号楼1单元803
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