模拟静电场描绘仪 型号：GVZ-4

主要技术参数：
1. GVZ-4型为箱体和电源分离式，单笔测试,内置四种电极
（同心圆、平行导线、聚焦、劈尖形）。
2.规格为420mm*260mm,高100mm,K4-2导线。
3.同心圆和其他电极印有坐标格规格为1mm. 
4.微晶导电层的均匀性，实验值误差为小于2%。
5.电源输出范围（直流）为7.00v—13.00V，分辨率为0.01V (配三位半数码管)。
6.采用多圈电位器调节电压，调节细度可达0.01V。
应承受250g正负50g的力摩擦2万次，膜层电阻阻值变化0.3%，对导电微晶无磨损。 

主要技術技术指标：
1. GVZ-4型为机柜和电源模块拆分式，单笔检验,内嵌式两种电级
（同心协力圆、水平高压导线、精准定位、劈尖形）。
2.规格型号为420mm*260mm,高100mm,K4-2接地线。
3.三合圆和任何工业上有方位角格技术参数为1mm. 
4.微晶导电层的竖直性，科学实验值随机误差为小于等于2%。
5.电压效果范围内（直流电压）为7.00v—13.00V，区分率有0.01V (配3位半数码科技管)。
6.分为多圈电位差器调结相电压，调结细度高达0.01V。
应承受250g极性50g的力磨擦2万次，膜层热敏电阻阻值发生变化0.3%，对导电微晶无损耗。