双波段发射率测试仪 远红外线分析仪

车辆序号：TC-003402

双频谱射出率检查仪 、远红外线检查仪所通常包括散射强度率法的检查基本原理，即经过所通常包括被动黑体影响源分析待测物接触面的法向散射强度率，从而测出其在某红外频谱的法向射出率。该测试机器设备可測量普通合格品在3～5um、8～14um、1～22um这几个频谱射出率。对专项 要有的移动用户，经过的控温来高温试验装置，在普通至300℃温範圍来高温合格品，来射出率变温測量。该测试机器设备通常采用俄罗斯军事准备的红外qq隐身、红外烘烤、装饰建材、纸质、印染厂等的行业对材质红外影响性能指标的測量分析。阶段已在西南核技艺所，东南方大学时等基层单位采用。
双波段发射率测试仪 远红外线分析仪仪器特点：
1．仪器中有小型标准黑体辐射源，采用六位高精度微机控温仪（能显示到1mk），使仪器不仅具有稳定的宽光谱测量范围，而且大地提高了仪器在测量时的可靠性和稳定性。
2．采用了*的光学调制技术，使测量不受被测物表面辐射及环境辐射的影响。
3．在仪器设计中，考虑到样品漫反射引起的测量误差，除镜反射（MR）探测通道外，还增设了专门的漫反射（DR）补偿通道，从而确保了仪器的测量精度。
4．在信号及电子学处理技术上采用锁相技术和微电子技术，较好地实现了对微弱信号的探测，进一步提高了仪器性能。
5．本仪器操作简单、使用方便、测量快速。
6．可按需更换滤光片，在多个红外光谱波段内进行测试。
7．在测量过程中不损伤被测样品。
8．本仪器带RS-232串口及复位键RST。
主要技术指标 
1．测量波段：3～5um、8～14um、1～22um  
（若用户有特殊要求，可定制不同波段滤光片）
2．发射率测量范围：0.1～0.99
3．灵敏度NE△ε：0.001
4．示值误差：±0.02 （ε>0.50）
5．重复性：±0.01
6．样品温度：常温（特殊用户为常温～300℃）
7．样品尺寸：>Ф50
8．测量时间：3秒后按测量键E，即显示ε测量值。
9．显示方法：LED数字显示，末位0.001
10.电   源：  交流220V   50HZ

 

双激发光谱薄层扫描器仪 主要参数：CS930

主要配置：

本仪器光源有2个，紫外光源（200-300nm）使用重氢可见光源（370-700nm）使用无灯；要进行荧光测定时，还可以使用增设高辉度水银或氙邓，衍射光栅为1200条/mm，入口狭缝固定，出口幅宽（5挡）和高度（7挡）可以独立选择，波长范围是200-700nm电源（包括重氢灯电源，放大器电源，cpu电源）可在100V，117V200V 及240V任何一种电压使用，钨灯使用5.5V交流电AD转换能力，具有8位CPU，ROM约为26KB，数据用RAM约15KB，保留存储RAM约1KB。 
此外，在数据处理方面，分析时可进行色谱的直线扫描或锯齿扫描的选择，对分析样品可给出吸收光谱及色谱的记录，自动计算面积和打印结果。在存储方面，仪器提供1-9文件存储单元，可以存储测试条件，对样品有杂质情况下进行测定时，仪器可进行标准曲线及背景吸收的校正。
应用范围：

双可见光光的吸光度色谱扫视仪（CS930）可对薄层色谱、抑菌凝胶电泳及纸里色谱实现加快、正確的检测法。的同时该分析仪器具有着各类零件，具备了单可见光光的吸光度及双可见光光的吸光度的散发出、射线和荧光的色谱检测法并且单可见光光的吸光度的散发出、射线及荧光的光谱仪检测法。以至于它被宽泛得选用在化工业、林果、生物制药及科技创新的其它方面。

产品名称：现货 数显式硅酸根分析仪 产品型号：ND2012

数显式式硅酸根剖析仪 實驗室硅酸根剖析仪 形号：ND2012

ND2012型数显式硅酸根分析仪是一种可供实验室使用的水质分析仪。该仪表广泛应用于火力发电厂锅炉给水蒸气、化学除盐水及凝结水中的硅酸根 (SiO2)的含量以及半导体器件行业、化工厂、制药厂等纯水中的硅酸根含量测定。 
ND2012型数显式硅酸根分析仪主要特点： 
1：光源采用进口单色冷光源，功耗低，寿命长； 
2：光电测量系统设计有恒温系统，信号不受环境温度影响，无漂移 
3：智能延时排液 
4：智能延时标定 
  
ND2012型数显式硅酸根分析仪    
 测量范围 0~200µg/L （以SiO2计） 
 基本误差  ± 2% FS 
 耗电功率  < 80W 
 工作电源  220VAC,50HZ 
 重复性误差  < 1.5% FS 
 长期漂移   < 2% FS (24小时) 
 环境温度 10℃～40℃ 
 相对湿度 ≤85％ 
 保修期一年