多功能数字式四探针测试仪 型号： ST2258C

 概况

      ST2258C型多功能数字式四探针测试仪是运用四探针测量原理测试电阻率/方阻的多用途综合测量仪器。该仪器设计的符合标准GB/T 1551-2009 《硅多晶硅阻值率旋光度的旋光度的测定方法步骤》、GB/T 1551-1995《硅、锗多晶硅阻值率旋光度的旋光度的测定直流电压两电极法》、GB/T 1552-1995《硅、锗多晶硅功率电阻率核查直流变压器四测试探针法》并参阅国外 A.S.T.M 条件。 

 
      ST2258C型成套组成：由主机、选配的四探针探头、测试台等部分组成。
主机主要由精密恒流源、高分辨率ADC、嵌入式单片机系统组成。仪器所有参数设定、功能转换全部采用数字化键盘输入；具有零位、满度自校功能；电压电流全自动转换量程；测试结果由数字表头直接显示。本测试仪特赠设测试结果分类功能，分类10类。

      探测器配搭：要根据多种用料因素必须，探测器可以几厘米配搭。有高高耐磨炭化钨红外红外摄像头探测器，以测式硅类光电器件行业、锰钢轻铝合金、导电塑料材质类等硬质的用料的内阻率/方阻；还有球型电镀铜锰钢红外红外摄像头探测器，可测柔软用料导电聚酯复合膜、锰钢轻铝合金铝合金表层或聚酯复合膜、淘瓷或玻离等基低上导电膜（ITO膜）或納米铝合金表层等光电器件行业用料的内阻率/方阻。穿上四接线鼻子测式工装夹具，还可对内阻器体内阻、锰钢轻铝合金导体的低、中值内阻或是开关按钮类打交道内阻实现侧量。配探测器，也可测式電池片等箔上铝合金表层内阻率方阻。 成都同德创业人  行业制作品控

 
      测试台选配：一般四探针法测试电阻率/方阻配SZT-A或SZT-B或SZT-C或SZT-F型测试台。二探针法测试电阻率测试选SZT-K型测试台，也可选配SZT-D型测试台以测试半导体粉末电阻率，选配SZT-G型测试台测试橡塑材料电阻率。详见《四探针仪器、探头和测试台的特点与选型参考》 北京同德创业  专业铸造品质
仪器具有测量精度高、灵敏度高、稳定性好、智能化程度高、结构紧凑、使用简便等特点。 北京同德创业  专业铸造品质
仪器适用于半导体材料厂器件厂、科研单位、高等院校对导体、半导体、类半导体材料的导电性能的测试。 

 主要技艺参数表

1. 测量范围、分辨率（括号内为可向下拓展1个数量级）
    电    阻：10.0×10^-6 ～ 200.0×10³  Ω,    分辨率1.0×10^-6 ～ 0.1×10³  Ω
               （1.0×10^-6 ～ 20.00×10³  Ω,    分辨率0.1×10-⁶ ～ 0.01×10³ Ω）
    电 阻 率：10.0×10^-6 ～ 200.0×10³ Ω-cm   分辨率1.0×10^-6 ～ 0.1×10³  Ω-cm
               （1.0×10^-6 ～ 20.00×10³ Ω-cm  分辨率0.1×10^-6 ～ 0.01×10³ Ω-cm）
    方块电阻：50.0×10^-6 ～ 1.0×10⁶ Ω/□    分辨率5.0×10^-6 ～ 0.5×10³  Ω/□ 
               （5.0×10^-6 ～ 100.0×10³ Ω/□  分辨率0.5×10^-6 ～ 0.1×10³  Ω/□） 北京同德创业  专业铸造品质
2. 材料尺寸(由选配测试台和测试方式决定)
    直    径： SZT-A圆测试台直接测试方式 Φ15～130mm，手持方式不限
    SZT-B/C/F方测试台直接测试方式180mm×180mm，手持方式不限.
     长(高)度：  测试台直接测试方式 H≤100mm,    手持方式不限.
     测量方位:  轴向、径向均可
3. 量程划分及误差等级 

4.工作电源：220V±10％, f=50Hz±4％,PW≤5W
5.外形尺寸： 245mm（长）×220 mm（宽）×95mm（高） 
   净   重：≤1.5～2.0kg

产品名称：覆膜砂脱壳性能试验仪/覆膜砂脱壳性能检测仪 产品型号：STK

滚涂砂脱壳特点试验在线检查仪 滚涂砂脱壳特点在线检查仪款型：STK

一、  概述 
      覆膜砂脱壳性能试验仪主要用来检测覆膜砂的脱壳性能，它由电机、漏斗、加热盘、温控器、接砂盘、定时器等组成，仪器采用智能温控仪PID调节，确保加热盘的温度稳定。配备定时器，计时方便。 
二、  主要技术参数 
1.      工作温度：232℃±5℃ 
2.      测量精度：小于全量程的±1.5% 
3.      控温范围：室温—320℃ 
4.      温度测量误差：1% 
5.      功率：1.2KW 
6.      电源：AC220v±10%